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Trabalho de evento-resumo
DFT-½ method on 2D materials: an approximate quasiparticle correction for the calculation of fundamental energy gap (2019)
Guilhon, I; Koda, D S; Marques, M; Teles, L K; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: Abstracts. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
GUILHON, I et al. DFT-½ method on 2D materials: an approximate quasiparticle correction for the calculation of fundamental energy gap. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019. . Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Guilhon, I., Koda, D. S., Marques, M., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2019). DFT-½ method on 2D materials: an approximate quasiparticle correction for the calculation of fundamental energy gap. In Abstracts. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF.
NLM
Guilhon I, Koda DS, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. DFT-½ method on 2D materials: an approximate quasiparticle correction for the calculation of fundamental energy gap. Abstracts. 2019 ;[citado 2024 maio 09 ]
Vancouver
Guilhon I, Koda DS, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. DFT-½ method on 2D materials: an approximate quasiparticle correction for the calculation of fundamental energy gap. Abstracts. 2019 ;[citado 2024 maio 09 ]
Artigo de periodico
Accurate band gaps of 'AL''GA'N, 'IN''GA'N, and 'AL''IN'N alloys calculations based on LDA-1/2 approach (2011)
Pelá, R R; Ferreira, L G; Caetano, C; Marques, M; Furthmüller, J; Teles, L K
Source: Applied physics letters. Unidade: IF
Assunto: ALTA TEMPERATURA
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ABNT
PELÁ, R R et al. Accurate band gaps of 'AL''GA'N, 'IN''GA'N, and 'AL''IN'N alloys calculations based on LDA-1/2 approach. Applied physics letters, v. 98, n. 15, p. 151907, 2011Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.3576570. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Pelá, R. R., Ferreira, L. G., Caetano, C., Marques, M., Furthmüller, J., & Teles, L. K. (2011). Accurate band gaps of 'AL''GA'N, 'IN''GA'N, and 'AL''IN'N alloys calculations based on LDA-1/2 approach. Applied physics letters, 98( 15), 151907. doi:10.1063/1.3576570
NLM
Pelá RR, Ferreira LG, Caetano C, Marques M, Furthmüller J, Teles LK. Accurate band gaps of 'AL''GA'N, 'IN''GA'N, and 'AL''IN'N alloys calculations based on LDA-1/2 approach [Internet]. Applied physics letters. 2011 ;98( 15): 151907.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3576570
Vancouver
Pelá RR, Ferreira LG, Caetano C, Marques M, Furthmüller J, Teles LK. Accurate band gaps of 'AL''GA'N, 'IN''GA'N, and 'AL''IN'N alloys calculations based on LDA-1/2 approach [Internet]. Applied physics letters. 2011 ;98( 15): 151907.[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.3576570
Trabalho de evento-resumo
Accurate electronic band gap and electron e®ective masses of AlGaN and InGaN from LDA-1/2 calculations (2009)
Pelá, Ronaldo Rodrigues; Caetano, Clovis; Teles, L K; Marques, Marcelo; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: Poster Session. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
PELÁ, Ronaldo Rodrigues et al. Accurate electronic band gap and electron e®ective masses of AlGaN and InGaN from LDA-1/2 calculations. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-3.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Pelá, R. R., Caetano, C., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2009). Accurate electronic band gap and electron e®ective masses of AlGaN and InGaN from LDA-1/2 calculations. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-3.pdf
NLM
Pelá RR, Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Accurate electronic band gap and electron e®ective masses of AlGaN and InGaN from LDA-1/2 calculations [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-3.pdf
Vancouver
Pelá RR, Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Accurate electronic band gap and electron e®ective masses of AlGaN and InGaN from LDA-1/2 calculations [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-3.pdf
Trabalho de evento-resumo
Disorder effects of codoped GaN based diluted magnetic semiconductors: antiferromagnetism with spin polarization (2009)
Santos, João Paulo Tommasatti; Marques, Marcelo; Teles, L K; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: Poster Session. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANTOS, João Paulo Tommasatti et al. Disorder effects of codoped GaN based diluted magnetic semiconductors: antiferromagnetism with spin polarization. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-1.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Santos, J. P. T., Marques, M., Teles, L. K., & Ferreira, L. G. (2009). Disorder effects of codoped GaN based diluted magnetic semiconductors: antiferromagnetism with spin polarization. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-1.pdf
NLM
Santos JPT, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Disorder effects of codoped GaN based diluted magnetic semiconductors: antiferromagnetism with spin polarization [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-1.pdf
Vancouver
Santos JPT, Marques M, Teles LK, Ferreira LG. Disorder effects of codoped GaN based diluted magnetic semiconductors: antiferromagnetism with spin polarization [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Comparison among the properties of (III,TM)V alloys: a first principles study (2009)
Caetano, Clovis; Teles, L K; Marques, Marcelo; Ferreira, Luiz Guimarães
Source: Poster Session. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CAETANO, Clovis et al. Comparison among the properties of (III,TM)V alloys: a first principles study. 2009, Anais.. São Paulo: SBF, 2009. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-2.pdf. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Caetano, C., Teles, L. K., Marques, M., & Ferreira, L. G. (2009). Comparison among the properties of (III,TM)V alloys: a first principles study. In Poster Session. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-2.pdf
NLM
Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Comparison among the properties of (III,TM)V alloys: a first principles study [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-2.pdf
Vancouver
Caetano C, Teles LK, Marques M, Ferreira LG. Comparison among the properties of (III,TM)V alloys: a first principles study [Internet]. Poster Session. 2009 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxii/sys/resumos/R0930-2.pdf
Artigo de periodico
Phase separation and ordering in group-III nitride alloys (2004)
Teles, L K; Marques, M; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, TERMODINÂMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L K et al. Phase separation and ordering in group-III nitride alloys. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400014. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Teles, L. K., Marques, M., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Phase separation and ordering in group-III nitride alloys. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400014
NLM
Teles LK, Marques M, Scolfaro LMR, Leite JR. Phase separation and ordering in group-III nitride alloys [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400014
Vancouver
Teles LK, Marques M, Scolfaro LMR, Leite JR. Phase separation and ordering in group-III nitride alloys [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400014
Artigo de periodico
Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys (2004)
Teles, L K; Marques, M; Ferreira, L G; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, TERMODINÂMICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L K et al. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0. Acesso em: 09 maio 2024.
APA
Teles, L. K., Marques, M., Ferreira, L. G., Scolfaro, L. M. R., & Leite, J. R. (2004). Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys. Microelectronics Journal. doi:10.1016/s0026-2692(03)00218-0
NLM
Teles LK, Marques M, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0
Vancouver
Teles LK, Marques M, Ferreira LG, Scolfaro LMR, Leite JR. Phase separation, effects of biaxial strain, and ordered phase formations in cubic nitride alloys [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 maio 09 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00218-0

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